| 摘要 |
【課題】種結晶基板の全面にわたって一様な半導体単結晶を高い再現性で成長させることができるIII族窒化物半導体単結晶の製造方法の提供。【解決手段】坩堝１２６０の内部に種結晶基板とＧａとＮａとを入れてIII族窒化物半導体単結晶を成長させる工程を有し、前記III族窒化物半導体単結晶を所定の成長温度で成長させる際に、坩堝１２６０の温度を５００℃以下、好ましくは８０〜２００℃の第１の温度範囲で、少なくとも３０分にわたってＧａとＮａとを反応させ、前記反応の後に、坩堝１２６０の温度をIII族窒化物半導体単結晶の成長温度まで上昇させるIII族窒化物半導体単結晶の製造方法。前記Ｇａと前記Ｎａとの反応を検出するための測定装置を用いるIII族窒化物半導体単結晶の製造方法。【選択図】図２ |
