| 摘要 |
【課題】シワが少ないグラフェン膜とそのグラフェン膜を得るために最適な下地基板を提供する。下地基板との熱膨張係数差により導入されるグラフェン膜のシワを低減する手法を明らかにする。【解決手段】厚みが0.1ｍｍ以上である基板を用いてグラフェン膜を成膜することにより、シワの少ないグラフェン膜を得ることができ、グラフェン膜を用いたデバイスの収率を向上することができる。シワの密度が０．００４本/μｍ2以下であるグラフェン膜とする。また、厚みが0.1ｍｍ以上である基板上に、シワの密度が０．００４本/μｍ2以下であるグラフェン膜が成膜された複合体の製造方法とする。【選択図】図１ |
