トランジスタ

摘要

本発明は、表面の平滑性が高くかつ簡略化された工程で形成可能なゲート電極を備えたトランジスタを提供することを課題とする。本発明のトランジスタは、基板（１１）上にゲート電極（１２）、絶縁層（１３）、半導体層（１４）、ソース電極（１５）及びドレイン電極（１６）を備え、前記ゲート電極（１２）が、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀を用いて形成されている。