| 摘要 |
【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて所望の閾値電圧を得ることを課題の一つとし、該閾値電圧の経時的な変化を抑制することを課題の一つとし、また、具体的には該薄膜トランジスタを所望の閾値電圧を有するトランジスタを用いて構成される論理回路に適用することを課題の一つとする。【解決手段】上記目的を達成するために、同一基板上に酸化物半導体層の厚みが異なる薄膜トランジスタを形成し、酸化物半導体層の厚みにより閾値が制御された薄膜トランジスタをもちいて論理回路を構成すればよい。また、脱水化または脱水素化処理が施された後に、酸化物絶縁膜が接して形成された酸化物半導体膜を利用することで、閾値の経時変化が抑制され、論理回路の信頼性を高められる。【選択図】図１０ |
