发明名称 | 半导体装置的评价装置 | ||
摘要 | 一种半导体装置的评价装置,其对形成在半导体衬底(100)上的半导体装置进行电气评价,该半导体装置的评价装置具有:保持部(2),其将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上;以及检测部(3),其对保持部(2)的表面(2A)的凹凸进行检测。保持部(2)在表面(2A)上包含多个槽部(20),多个槽部(20)形成为,在将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上时,与半导体衬底(100)的外周重合,并且,一部分与半导体衬底(100)的外周相比位于外侧。 | ||
申请公布号 | CN104183516B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
申请号 | CN201410174467.8 | 申请日期 | 2014.04.28 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 秋山肇;冈田章;山下钦也 |
分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 何立波;张天舒 |
主权项 | 一种半导体装置的评价装置,其对形成在半导体衬底上的半导体装置进行电气评价,该半导体装置的评价装置具有:保持部,其将半导体衬底保持在表面上;以及检测部,其对所述保持部的所述表面的凹凸进行检测,所述保持部在所述表面上包含多个槽部,多个所述槽部形成为,在将所述半导体衬底保持在所述表面上时,与所述半导体衬底的外周重合,并且,一部分与所述半导体衬底的外周相比位于外侧,在所述槽部中与所述半导体衬底的外周相比位于外侧的区域中,形成有与所述槽部中的外周侧的端部不同的台阶部,从所述表面至所述槽部的底面为止的深度,在将所述半导体衬底保持在所述表面上时,在与所述半导体衬底的外周相比位于外侧的区域中,在所述半导体衬底的中心侧和所述半导体衬底的外周侧是不同的。 | ||
地址 | 日本东京 |