| 发明名称 | 用于生产发光半导体芯片的方法、用于生产转换管芯的方法和发光半导体芯片 | ||
| 摘要 | 提供一种发光半导体芯片，该半导体芯片包括：具有像素区域的半导体主体，像素区域具有至少两个电隔离的子区域，每个子区域包括在操作期间生成第一波长范围的电磁辐射的有源层，在至少一个子区域的辐射发射面积之上的单独地制造的陶瓷转换管芯，所述转换管芯被配置用于将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，其中转换管芯的宽度未超过100 pm。另外，提供一种用于生产发光半导体芯片的方法和用于生产转换管芯的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103748964B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201280020954.8 | 申请日期 | 2012.03.29 |
| 申请人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 | 发明人 | N.冯马尔姆;M.劳卡斯;D.孔达利亚 |
| 分类号 | H05B33/10(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H05B33/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;刘春元 |
| 主权项 | 一种发光半导体芯片，包括：具有像素区域的半导体主体，所述像素区域具有至少两个电隔离的子区域，每个子区域包括在操作期间生成第一波长范围的电磁辐射的有源层，以及在至少一个子区域的辐射发射面积之上的单独地制造的陶瓷转换管芯，所述转换管芯被配置用于将第一波长范围的辐射转换成第二波长范围的电磁辐射，其中转换管芯的宽度落在0.5 μm与20 μm之间。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||