一种LED结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种LED结构及其制作方法，将高阻态的ITO设置于P焊盘的下方作为阻挡层以提高LED芯片的发光亮度，由于扩展电极和阻挡层的材料均为ITO，所以不存在粘附性差导致P焊盘或者P焊盘和扩展电极在封装打线时或后期应用中与LED管芯脱离或者同时脱离的现象。并且，由于阻挡层材料是高阻态的ITO，所以阻挡层可以做得很薄，这解决了后续扩展电极ITO在P焊盘周围变薄所引起的LED芯片电压高、可靠性差的问题。

主权项

一种LED结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有层叠外延结构，所述层叠外延结构由下至上依次包括N型外延层、有源层和P型外延层，所述层叠外延结构上具有暴露所述N型外延层的N区台面；在所述P型外延层上形成ITO阻挡层；在所述P型外延层以及ITO阻挡层上形成ITO扩展电极；在所述ITO阻挡层上方的ITO扩展电极上形成P焊盘，在所述N区台面中形成N焊盘；以及在所述ITO扩展电极上形成钝化保护层，所述钝化保护层具有暴露所述P焊盘和N焊盘的开孔。