具有纳米线的集成电路

摘要

本发明提供了集成电路（IC）。IC包括具有金属氧化物半导体（MOS）区的衬底。IC还包括第一栅极区、源极区和漏极区，以及第二栅极区、源极区和漏极区，其中第一栅极区具有第一长度，第二栅极区具有第二长度。第一纳米线组设置在第一栅极区中，第一纳米线组包括具有第一直径的纳米线，并连接至第一源极区中的部件和第一漏极区中的部件。第二纳米线组设置在第二栅极区中，第二纳米线组包括具有第二直径的纳米线，并连接至第二源极区中的部件和第二漏极区中的部件。直径为：如果第一长度大于第二长度，则第一直径小于第二直径，反之亦然。本发明还提供了具有纳米线的集成电路。

主权项

一种集成电路，包括：衬底，具有金属氧化物半导体(MOS)区；位于所述金属氧化物半导体区中的第一器件的第一栅极区、第一源极区和第一漏极区，其中，所述第一栅极区具有第一长度；第一纳米线组，设置在所述第一栅极区中，所述第一纳米线组包括具有第一直径的纳米线，并连接至所述第一源极区中的第一部件和所述第一漏极区中的所述第一部件；位于所述金属氧化物半导体区中的第二器件的第二栅极区、第二源极区和第二漏极区，其中，所述第二栅极区具有第二长度；以及第二纳米线组，设置在所述第二栅极区中，所述第二纳米线组包括具有第二直径的纳米线，并连接至所述第二源极区中的第二部件和所述第二漏极区中的所述第二部件，其中，如果所述第一长度大于所述第二长度，则所述第一直径小于所述第二直径；以及其中，如果所述第一长度小于所述第二长度，则所述第一直径大于所述第二直径。