| 发明名称 | 半导体装置以及形成半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体装置以及形成半导体装置的方法。半导体装置包括多个有源区且设置于一半导体基材中。形成半导体装置的方法包括使用一第一激光沿一第一扫描方向对半导体基材进行一第一退火处理，以及使用一第二激光沿一第二扫描方向对半导体基材进行一第二退火处理，其中第一扫描方向与第二扫描方向具有一夹角。 | ||
| 申请公布号 | CN102915916B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201110217676.2 | 申请日期 | 2011.08.01 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 杨建伦;郭子凤;吴心蕙;李静宜;詹书俨 |
| 分类号 | H01L21/268(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/268(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陈小雯 |
| 主权项 | 一种形成半导体装置的方法，包括：提供一半导体基材；使用一第一激光沿一第一扫描方向对该半导体基材进行一第一退火处理；使用一第二激光沿一第二扫描方向对该半导体基材进行一第二退火处理，其中该第一扫描方向与该第二扫描方向具有一夹角，且该第一激光及第二激光的扫描路径分别设定有多个第一扫描路径及第二扫描路径，该些第一扫描路径皆为线型且该些第一扫描路径的边缘呈弧形排列，该些第二扫描路径皆为线型且该些第二扫描路径的边缘呈弧形排列。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||