向半导体存储装置的数据的写入方法以及半导体存储装置

摘要

本发明提供一种向半导体存储装置的数据的写入方法以及半导体存储装置，能够对成为半导体存储装置的存储单元的参照单元的副存储区域的读出电流的变动进行抑制，减少存储单元的读出电流的判定时的误判定。利用对存储单元的第一杂质区域以及第二杂质区域施加的电压的大小关系彼此不同的两个数据写入步骤，在存储单元中写入数据。

主权项

一种向半导体存储装置的数据的写入方法，该半导体存储装置在多个存储单元内具有主存储区域和存储用于对所述主存储区域中存储的2值的主数据的值是第一数据值和第二数据值中的哪一个进行判定的基准数据的副存储区域并且用于在所述副存储区域写入所述基准数据，所述存储单元在夹着沟道区域设置第一杂质区域以及第二杂质区域的半导体基板上具有栅极电极，并且在所述第一杂质区域与所述栅极电极之间具有第一电荷蓄积部、在所述第二杂质区域和所述栅极电极之间具有第二电荷蓄积部，其特征在于，具有：第一写入步骤，对所述第一杂质区域以及所述栅极电极施加正电压，对所述第二杂质区域施加比所述正电压低的电压，在所述第一电荷蓄积部蓄积电荷；第二写入步骤，对所述第二杂质区域以及所述栅极电极施加正电压，对所述第一杂质区域施加比所述正电压低的电压，在所述第二电荷蓄积部蓄积电荷。