半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：NMOS区域基底表面形成有第一伪栅；形成覆盖于第一伪栅侧壁表面的替代侧墙，替代侧墙包括位于基底表面的第一替代侧墙、第二替代侧墙；去除所述第二替代侧墙；在第一伪栅两侧的NMOS区域基底内形成N型掺杂区；在基底表面形成层间介质层；刻蚀去除第一伪栅以及第一替代侧墙，在NMOS区域的层间介质层中形成第一凹槽，第一凹槽的底部尺寸大于顶部尺寸；依次形成位于第一凹槽底部和侧壁表面的栅介质层、位于栅介质层表面的功能层、位于功能层表面的第一功函数层，且功能层的材料功函数与第一功函数层的材料功函数不同。本发明改善了形成的半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括NMOS区域的基底，所述NMOS区域基底表面形成有第一伪栅；形成覆盖于所述第一伪栅侧壁表面的替代侧墙，替代侧墙包括位于基底表面的第一替代侧墙、位于第一替代侧墙顶部表面的第二替代侧墙；去除所述第二替代侧墙；以所述第一替代侧墙为掩膜，在所述第一伪栅两侧的NMOS区域基底内形成N型掺杂区；在所述基底表面形成层间介质层，所述层间介质层还覆盖于第一替代侧墙表面以及第一伪栅侧壁表面；刻蚀去除所述第一伪栅以及第一替代侧墙，在所述NMOS区域的层间介质层中形成第一凹槽，所述第一凹槽的底部尺寸大于顶部尺寸；依次形成位于所述第一凹槽底部和侧壁表面的栅介质层、位于栅介质层表面的功能层、位于功能层表面的第一功函数层，且所述功能层的材料功函数与第一功函数层的材料功函数不同；在所述第一功函数层表面形成栅电极层，所述栅电极层填充满第一凹槽。