利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法

摘要

本发明提供了利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构及方法，该监控结构包括光阻区和P型轻掺杂离子注入区，P型轻掺杂离子注入区包括：P型阱、P型轻掺杂离子阱、栅极、介质层以及对应于P型轻掺杂离子阱的接触孔；光阻区包括：P型阱、栅极、介质层，以及对应于P型阱的接触孔；对P型轻掺杂离子注入区注入P型轻掺杂离子；经负电势电子束扫描得到电压衬度影像中，根据发生变化的接触孔即可监控光阻区的对准度，从而实现对CMOS中P型轻掺杂离子注入对准度的实时监控，避免P型轻掺杂离子注入到NMOS的P型阱中而导致NMOS漏电现象的发生。

主权项

一种利用同型结监控P型轻掺杂离子注入对准度的结构，所述监控结构位于半导体衬底的非功能区域中，其特征在于，所述监控结构包括P型轻掺杂离子注入区和光阻区，所述光阻区为不注入任何类型的轻掺杂离子的区域，其中，所述P型轻掺杂离子注入区由第一P型阱‑P型轻掺杂离子阱结构构成，包括：在非功能区中设置的第一P型阱，在所述第一P型阱中设置的P型轻掺杂离子阱，位于所述P型轻掺杂离子阱之间的第一栅极，位于所述非功能区表面的第一介质层，以及位于所述第一介质层中且对应于所述P型轻掺杂离子阱的接触孔；所述光阻区由第二P型阱结构构成，包括：在非功能区中设置的第二P型阱，位于所述第二P型阱之间的第二栅极，位于非功能区表面的第二介质层，以及位于所述第二介质层中且对应于所述第二P型阱的接触孔；第一介质层和第二介质层位于同一层中；在负电势电子束扫描模式下得到的电压衬度影像图中，所述第一P型阱‑P型轻掺杂离子阱结构对应的接触孔显示为暗孔，所述第二P型阱结构对应的接触孔显示为亮孔。