包含HEMT和MISFET的半导体装置及其形成方法

摘要

本发明涉及了包含HEMT和MISFET的半导体装置及其形成方法，其包括第一III‑V化合物层。第二III‑V化合物层被设置在第一III‑V化合物层上且在组分上不同与第一III‑V化合物层。第三III‑V化合物层被沉积在第二III‑V化合物层上且在组分上不同与第二III‑V化合物层。源极部件和漏极部件被设置在第三III‑V化合物层上的每个MISFET和HEMT区域中。栅电极被设置在位于源极部件和漏极部件之间的第二III‑V化合物层之上。栅极电介质层被设置在MISFET区域中的栅电极之下但位于第三III‑V化合物层的顶面之上。

主权项

一种包含HEMT区域和MISFET区域的半导体结构，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，设置在所述第一III‑V化合物层上，并且所述第二III‑V化合物层的组分不同于所述第一III‑V化合物层的组分；第三III‑V化合物层，设置在所述第二III‑V化合物层上，所述第三III‑V化合物层具有顶面；设置在所述第三III‑V化合物层上的所述MISFET区域中的源极部件和漏极部件；设置在所述第三III‑V化合物层上的所述HEMT区域中的源极部件和漏极部件；栅电极，设置在所述MISFET区域中的所述第三III‑V化合物层之上；以及栅极介电层，设置在所述栅电极之下但位于所述第三III‑V化合物层的所述顶面之上，从而防止所述栅电极和所述第三III‑V化合物层直接物理接触。