| 发明名称 | 半导体区的生长中的化学机械抛光 | ||
| 摘要 | 公开了半导体区的生长中的化学机械抛光。一种方法包括执行第一平坦化步骤以去除半导体区位于隔离区上方的部分。第一平坦化步骤具有第一选择性，第一选择性是半导体区的第一去除速率与隔离区的第二去除速率的比值。在暴露隔离区之后，对隔离区和半导体区位于隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤。第二平坦化步骤具有低于第一选择性的第二选择性，第二选择性是半导体区的该部分的第三去除速率与隔离区的第四去除速率的比值。 | ||
| 申请公布号 | CN103943487B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201310150945.7 | 申请日期 | 2013.04.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林国楹;潘婉君;张翔笔;蔡腾群;陈继元 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括：执行第一平坦化步骤以去除半导体区位于隔离区上方的部分，其中所述第一平坦化步骤具有第一选择性，所述第一选择性是所述半导体区的第一去除速率与所述隔离区的第二去除速率的比值；以及在暴露所述隔离区之后，对所述隔离区和所述半导体区位于所述隔离区之间的一部分执行第二平坦化步骤，其中所述第二平坦化步骤具有低于所述第一选择性的第二选择性，所述第二选择性是所述半导体区的这一部分的第三去除速率与所述隔离区的第四去除速率的比值，其中，所述第一平坦化步骤和所述第二平坦化步骤都包括化学机械抛光(CMP)。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||