| 发明名称 | 金属硅化物阻挡层的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种金属硅化物阻挡层的形成方法，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有隔离结构，所述隔离结构两侧的衬底表面上分别有第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构两侧的衬底内具有轻掺杂源漏注入区；沉积富硅二氧化硅层；对第一栅极结构两侧进行离子注入，形成重掺杂源漏注入区；沉积硅烷层；涂敷光刻胶，光刻形成第一窗口，所述第一窗口内暴露出所述第一栅极结构区域；干法刻蚀去除第一窗口内的硅烷层；湿法刻蚀去除第一窗口内的富硅二氧化硅层；去除光刻胶。本发明采用富硅二氧化硅层和硅烷层的金属硅化物阻挡层，富硅二氧化硅相比二氧化硅具有较高消光系数，能减少等离子体紫外线对衬底的损伤，从而提高阈值电压的均匀性。 | ||
| 申请公布号 | CN102543716B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201210061075.1 | 申请日期 | 2012.03.09 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王卉;康军;令海阳 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种金属硅化物阻挡层的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底内具有隔离结构，所述隔离结构两侧的衬底表面上分别形成有第一栅极结构和第二栅极结构，所述第一栅极结构两侧的衬底内具有轻掺杂源漏注入区；在衬底上沉积富硅二氧化硅层，所述沉积富硅二氧化硅层采用N<sub>2</sub>O和SiH<sub>4</sub>作为反应气体，所述N<sub>2</sub>O和SiH<sub>4</sub>的流量比为8.1:1‑8.5:1；对第一栅极结构两侧进行离子注入，形成重掺杂源漏注入区，并执行快速热处理；沉积一硅烷层；涂敷光刻胶，光刻形成第一窗口，所述第一窗口内暴露出所述第一栅极结构及其两侧的重掺杂源漏注入区；干法刻蚀去除第一窗口内的硅烷层；湿法刻蚀去除第一窗口内的富硅二氧化硅层；去除刻蚀完成后剩余的光刻胶，形成金属硅化物阻挡层结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||