静电保护结构及集成电路系统

摘要

一种静电保护结构及集成电路系统，本发明静电保护结构包括P型LDMOS晶体管、NPN型三极管和外接端子，所述集成电路与所述P型LDMOS晶体管、NPN型三极管并联，外接端子用于集中引入外部静电。所述P型LDMOS晶体管的栅极、源极接入工作电位，漏极与所述外接端子电连接，因此所述P型LDMOS晶体管处于打开状态，经所述外接端子、P型LDMOS晶体管和工作电位形成具有电位差的通路，释放了所述反向电流，从而减小了反向电流对集成电路的影响。经所述外接端子进入的正向电流(正电荷)使所述NPN型三极管的基极电位升高，从而打开所述NPN型三极管，所述外接端子、NPN型三极管和工作电位形成具有电位差的通路，从而减小了正向电流对集成电路的影响。

主权项

一种静电保护结构，用于对集成电路进行静电保护，所述集成电路的一端加载有工作电位，其特征在于，包括：外接端子，与所述集成电路未加载有工作电位的一端相连，用于引入外部静电；P型晶体管，所述P型晶体管的栅极、源极用于加载工作电位，漏极与所述外接端子相连；NPN型三极管，所述NPN型三极管的发射极用于加载工作电位，集电极和基极与所述外接端子相连。