| 发明名称 | 半导体装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供一种半导体装置及其形成方法。此半导体装置的形成方法包括形成第一栅极结构于基板上，形成源极/漏极特征于基板中且邻近第一栅极结构，形成介电层于第一栅极结构及源极/漏极特征之上，移除介电层的一部分，以形成暴露出第一栅极结构及源极/漏极特征的第一沟槽，形成第一导电特征结构于第一沟槽中，移除第一栅极结构的第一部分，以形成第二沟槽，以及形成第二导电特征结构于第二沟槽中。 | ||
| 申请公布号 | CN106469684A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201510859677.5 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王志豪;林群雄;张家豪;游家权;吴伟豪;林义雄;林志昌 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 王芝艳;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体装置的形成方法，包括：形成一第一栅极结构于一基板上，其中该第一栅极结构包括一栅极介电层及一栅极电极；形成一源极/漏极特征于该基板中且邻近该第一栅极结构；形成一介电层于该第一栅极结构及该源极/漏极特征之上；移除该介电层的一部分，以形成暴露出该第一栅极结构及该源极/漏极特征的一第一沟槽；形成一第一导电特征结构于该第一沟槽中；移除该第一栅极结构的一第一部分，以形成一第二沟槽，其中该第二沟槽暴露出该第一栅极结构的一第二部分，且其中该第一部分面向该第一导电特征结构；以及形成一第二导电特征于该第二沟槽中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||