基于模型的规则表产生

摘要

本发明涉及基于模型的规则表产生。具体的，本发明提供一种用于制造半导体装置的方法，其包含例如从设计室接收集成电路IC布局图案。在一些实施例中，利用过程模拟模型以通过反向光刻技术ILT过程产生自由形式布局图案。所述过程模拟模型经配置以模拟用于所述IC布局图案的处理条件。在各种实施例中，所述自由形式布局图案与所述IC布局图案相关联。在一些实例中，产生简化布局图案，其中所述简化布局图案是所述自由形式布局图案的近似。之后，基于所述简化布局图案可以计算亚分辨率辅助特征SRAF规则且可以产生SRAF规则表。

主权项

一种半导体装置制造的方法，其包括：接收集成电路IC布局图案；利用经配置以模拟用于所述IC布局图案的处理条件的过程模拟模型，通过基于模型MB的掩模校正过程产生第二布局图案，其中所述第二布局图案与所述IC布局图案相关联；产生第三布局图案，所述第三布局图案是所述第二布局图案的近似；以及基于所述第三布局图案计算亚分辨率辅助特征SRAF规则。