发明名称 | 光辅助原子层沉积方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种光辅助原子层沉积方法,其包含下列步骤:准备制程系统,其中制程系统包含制程腔体以及连接制程腔体的第一进气管路,且第一进气管路包含具有透光侧壁的预腔体;通入第一气体至预腔体中;以紫外线透过透光侧壁照射预腔体内部;以及,使照射过紫外光的第一气体进入制程腔体。由于第一气体在预腔体中被紫外光照射而加强第一气体的活性,因此照射过紫外光的气体进入制程腔体中较容易反应完全,减少前驱物的配体官能基残留,以提升成膜品质。 | ||
申请公布号 | CN106467963A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
申请号 | CN201510499992.1 | 申请日期 | 2015.08.14 |
申请人 | 炬力奈米科技有限公司 | 发明人 | 叶昭辉;邱壬官 |
分类号 | C23C16/48(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/48(2006.01)I |
代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 王芝艳;冯志云 |
主权项 | 一种光辅助原子层沉积方法,包含以下步骤:准备一制程系统,该制程系统包含一制程腔体以及一第一进气管路,该制程腔体用以容置一基板且该第一进气管路包含一预腔体与一加热装置,该预腔体包含一透光侧壁并通过一第一阀门与该制程腔体分隔;启动该加热装置将该预腔体升温至一预定温度;关闭该第一阀门并通入一第一气体至该第一进气管路的该预腔体中;以一紫外光透过该透光侧壁照射该预腔体内部达一预定时间;以及开启该第一阀门使照射该紫外光后的该第一气体进入该制程腔体以于该基板上成长原子层。 | ||
地址 | 中国台湾高雄市 |