萧特基整流元件的制造方法及形成方法

摘要

一种萧特基整流元件的制造方法及形成方法,包含于含n‑磊晶层/n+基板形成并图案化一绝缘层以定义主动区，随后，施以离子布植，再形成一绝缘层间隙壁，再以其为硬式罩幕，蚀刻该n‑磊晶层，以形成沟渠；接着，在去除硬式罩幕后施以热氧化制造工艺，以全面形成第一氧化层，随后沉积一多晶硅层以填补该些沟渠，至少溢出该些沟渠，再施以非等向回蚀刻制造工艺。随后于定义接触区后，施以自对准金属硅化物制造工艺，再形成一顶部金属层。另一实施例是利用扩散退火制造工艺，替代形成绝缘层间隙壁。其余制造工艺同第一实施例。本发明也包含同时形成终止区沟渠的步骤。

主权项

一种萧特基整流元件的制造方法，其特征在于，所述的制造方法至少包含以下步骤:提供一n+半导体基板由下到上包含一n‑磊晶层及一绝缘层；形成一光阻图案于所述的绝缘层/n‑磊晶层上以定义主动区沟渠及终止区沟渠位置；蚀刻所述的绝缘层，以所述的n‑磊晶层为蚀刻终止层，所述的光阻图案为罩幕；施以离子布植，以形成复数个p型重掺杂区于所述的n‑磊晶层，以所述的光阻图案/绝缘层图案为罩幕；去除所述的光阻图案；形成间隙壁氧化层于绝缘层之侧壁，以覆盖部分之p型重掺杂区；以所述的绝缘层及其间隙壁为硬式罩幕，蚀刻所述的n‑磊晶层，以形成所述之主动区沟渠及终止区沟渠；去除所述的硬式罩幕；施以热氧化制造工艺以形成第一氧化层于所述的沟渠侧壁、底部及平台上；沉积一导电性杂质掺杂之多晶硅层以填补所述的沟渠，至少溢出所述的主动区沟渠；施以非等向回蚀刻制造工艺，以所述的平台上的所述的第一氧化层为蚀刻终止层，以移除多余之多晶硅层，并于所述的终止区沟渠侧壁形成多晶硅间隙壁；全面形成第二氧化层以加厚所述的终止区底部的氧化层；定义包含主动区及部分多晶硅间隙壁的接触区；施以自对准金属硅化物制造工艺，以形成金属硅化物层于所述的接触区以作为阻障金属层；形成顶部金属层于所述的阻障金属层，并延伸至所述的终止区沟渠底一预定长度；研磨基板背面n+半导体至一定厚度；及形成一金属层于所述的n+半导体基板背面，以做为n+半导体基板背面阴极。