发明名称 |
太阳能电池及其制造方法 |
摘要 |
公开了一种太阳能电池和用于制造其的方法。太阳能电池包括不对称的纳米线,每一条纳米线具有倾斜侧壁,从而借助由半导体层与透明电极层的折射率之间的差所引起的光的全反射现象,使入射光可以集中在p‑n结部分,由于光行进距离增大,光吸收可以增大,从而改进光电效率。此外,用于制造太阳能电池的方法包括蚀刻衬底,以及整体形成衬底与p型半导体层,p型半导体层包括不对称的纳米线,每一条纳米线具有倾斜侧壁,从而减小制造成本并且简单且容易制造具有倾斜侧壁的纳米线。 |
申请公布号 |
CN103875080B |
申请公布日期 |
2017.03.01 |
申请号 |
CN201280049982.2 |
申请日期 |
2012.08.17 |
申请人 |
浦项工科大学校产学协力团 |
发明人 |
白昌基;林兑旭;高明东;丁润夏;朴修永;崔成旭 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;韩宏 |
主权项 |
一种太阳能电池,包括:衬底;p型半导体层,布置在所述衬底的正面上并且包括在基本上垂直于所述衬底的方向上间隔分开设置的多条纳米线;以及n型半导体层,沿所述多条纳米线的表面布置在所述p型半导体层上,其中,所述多条纳米线中的每一条纳米线具有倾斜侧壁,并且每一条纳米线的直径的至少一部分从顶部至底部减小,并且其中,所述太阳能电池进一步包括透明电极层,所述透明电极层布置在位于所述多条纳米线的顶面和整个侧面上的所述n型半导体层上并且具有的折射率比所述n型半导体层的折射率小,使得以垂直于所述衬底的方向入射到所述n型半导体层与所述透明电极层之间的界面上的太阳光能够被全反射。 |
地址 |
韩国庆尚北道 |