| 发明名称 | 抗辐照双极器件及该器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 抗辐照双极器件及该器件的制备方法，涉及双极器件的抗辐照技术。它为了解决现有双极器件抗辐照能力差的问题。本发明在双极器件基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区。抗辐照双极器件的制备方法为：在完成基区扩散或离子注入后，进行发射区扩散或离子注入前，进行抗辐照加固方法，抗辐照加固方法首先在基区掩膜版的基础上制备基区表面掺杂掩膜版，基于该掩膜版向基区表面注入与基区体内相同的杂质离子，注入浓度为体区浓度的10～10000倍，最后进行退火处理。本发明通过改变基区表面结构及掺杂浓度，使器件失效阈值高了1.4～3.7倍。本发明适用于NPN器件、PNP器件、数字双极电路、模拟双极电路及数模/模数电路。 | ||
| 申请公布号 | CN103872106B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201410135845.1 | 申请日期 | 2014.04.04 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 李兴冀;杨剑群;刘超铭;肖景东;何世禹 |
| 分类号 | H01L29/73(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/73(2006.01)I |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人 | 张宏威 |
| 主权项 | 一种抗辐照双极器件，在基区表面设置有以发射区为中心的高掺杂浓度区，所述高掺杂浓度区的掺杂浓度为体区掺杂浓度的10～10000倍；所述的高掺杂浓度区为多环式高掺杂浓度区；其特征在于：所述的多环式高掺杂浓度区的深度为发射区深度的1/20～1/5，环的宽度为0.01～10μm，内环边界距发射区边界的最小距离为0.01～10μm，相邻两个环的间距为0.1～10μm，环的个数为1～10个。 | ||
| 地址 | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||