| 发明名称 | 具有钝化层的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有钝化层的半导体器件。半导体器件包括具有第一表面的半导体本体、布置在第一表面上的接触电极、以及在第一表面上与接触电极邻近的钝化层。所述钝化层包括层堆叠，所述层堆叠具有第一表面上的无定形半绝缘层、所述无定形半绝缘层上的第一氮化物层、以及第一氮化物层上的第二氮化物层。 | ||
| 申请公布号 | CN103681799B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201310383590.6 | 申请日期 | 2013.08.29 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J.鲍尔;O.胡姆贝尔;A.科普罗夫斯基;S.莫纳亚库尔;C.舍费尔;G.施密特 |
| 分类号 | H01L29/41(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/41(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;刘春元 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括第一表面；布置在第一表面上的接触电极；以及在第一表面上与所述接触电极邻近的钝化层，所述钝化层包括层堆叠，所述层堆叠具有第一表面上的无定形半绝缘层、所述无定形半绝缘层上的第一氮化物层、以及第一氮化物层上的第二氮化物层，其中，所述钝化层还包括：第一氮化物层与第二氮化物层之间的中间层，以及其中，所述中间层具有的硬度低于所述接触电极的材料的硬度，并且高于第一和第二氮化物层中的一个的硬度。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||