发明名称 钝化层形成用组合物、带钝化层半导体基板及制法、太阳能电池元件及制法及太阳能电池
摘要 本发明提供包含下述通式(I)所示的化合物和水的第1钝化层形成用组合物及包含下述通式(I)所示的化合物的水解物的第2钝化层形成用组合物。通式(I):M(OR<sup>1</sup>)<sub>m</sub>[通式(I)中,M表示选自Al、Nb、Ta、VO、Y及Hf中的至少1种。R<sup>1</sup>分别独立地表示烷基或芳基。m表示1~5的整数]。
申请公布号 CN106471626A 申请公布日期 2017.03.01
申请号 CN201580035295.9 申请日期 2015.07.02
申请人 日立化成株式会社 发明人 早坂刚;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;森下真年;儿玉俊辅
分类号 H01L31/0216(2014.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/0216(2014.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 葛凡
主权项 一种钝化层形成用组合物,其包含下述通式(I)所示的化合物和水,M(OR<sup>1</sup>)<sub>m</sub>   (I)通式(I)中,M表示选自Al、Nb、Ta、VO、Y及Hf中的至少1种,R<sup>1</sup>分别独立地表示烷基或芳基,m表示1~5的整数。
地址 日本东京都
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