三维存储器

摘要

本发明公开了一种三维存储器，具有存储单元叠层结构。存储单元叠层结构，由多个存储单元阵列结构与多个绝缘层交错叠层而成，各存储单元阵列结构具有字线、有源层、复合层与源极/漏极区。字线、有源层与复合层在Y方向延伸。有源层设置于相邻的字线之间。复合层设置于相邻的字线与有源层之间，各复合层由有源层起依序包括第一介电层、电荷储存层与第二介电层。源极/漏极区，等间隔设置于有源层中。相邻的两个所述源极/漏极区、于两个源极/漏极区之间的有源层、以及于有源层上的第一介电层、电荷储存层、第二介电层与字线，共同构成存储单元。

主权项

一种三维存储器，包括：存储单元叠层结构，由多个存储单元阵列结构与多个绝缘层交错叠层而成，各所述存储单元阵列结构包括：多个字线，在Y方向延伸；多个有源层，在所述Y方向延伸，所述有源层设置于相邻的所述字线之间；多个复合层，在所述Y方向延伸，设置于相邻的所述字线与所述有源层之间，各所述复合层由所述有源层起依序包括第一介电层、电荷储存层与第二介电层；以及多个源极/漏极区，等间隔设置于所述有源层中，其中相邻的两个所述源极/漏极区、于两个所述源极/漏极区之间的有源层、以及于所述有源层上的所述第一介电层、所述电荷储存层、所述第二介电层与所述字线，共同构成存储单元。