| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，且生长至覆盖凸出部的未掺杂的低温GaN层的顶部；蚀刻凸出部的未掺杂的低温GaN层和高温GaN层形成第一凹洞，蚀刻相邻两凸出部间的未掺杂的高温GaN层的缺陷集中区域形成第二凹洞；在第一、第二凹洞填充二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和第一、第二凹洞附著的二氧化硅纳米球上生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。 | ||
| 申请公布号 | CN104425661B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201310368837.7 | 申请日期 | 2013.08.22 |
| 申请人 | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 | 发明人 | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人 | 徐丽昕 |
| 主权项 | 一种发光二极管制造方法，包括以下步骤：提供一蓝宝石基板，蓝宝石基板的表面形成有多个凸出部；在蓝宝石基板的表面及凸出部生长一厚度均匀的未掺杂的低温GaN层；在未掺杂的低温GaN层上生长未掺杂的高温GaN层，且生长至覆盖凸出部的未掺杂的低温GaN层的顶部；蚀刻凸出部的未掺杂的低温GaN层和未掺杂的高温GaN层形成第一凹洞，蚀刻相邻两凸出部间的未掺杂的高温GaN层的缺陷集中区域形成第二凹洞；在第一、第二凹洞填充二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上和第一、第二凹洞附着的二氧化硅纳米球上继续生长未掺杂的高温GaN层直至覆盖二氧化硅纳米球；在未掺杂的高温GaN层上依次生长N型GaN层、活性层以及P型GaN层。 | ||
| 地址 | 518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 | ||