制造双极晶体管的方法、双极晶体管和集成电路

摘要

公开了一种制造双极晶体管的方法，所述方法包括：提供包括集电极区的半导体衬底；在半导体衬底上形成基极区；在基极区的限定了发射极区的部分上形成刻蚀保护层；在刻蚀保护层和基极区上形成基极接触层；在基极区上形成电绝缘层；在电绝缘层形成之后形成的结构中刻蚀开口，所述开口包括使刻蚀保护层的至少一部分外露的发射极窗口部分以及与发射极窗口部分相邻的延伸通过基极区、基极接触层并且进入集电极区的场板沟槽部分；利用电绝缘材料对所述开口加衬里；使所述发射极区外露；以及用导电材料填充所述加衬里的开口。还公开了一种根据这种方法制造的双极晶体管以及一种包括这种双极晶体管的IC。

主权项

一种制造双极晶体管的方法，所述方法包括：提供包括集电极区(11)的半导体衬底(10)；在半导体衬底上形成基极区(30)；在基极层的限定了发射极区的部分上形成刻蚀保护层(32，34)；在刻蚀保护层和基极层上形成基极接触层(35)；在基极层上形成电绝缘层(60)；在电绝缘层形成之后形成的结构中刻蚀开口(70)，所述开口包括使刻蚀保护层的至少一部分外露的发射极窗口部分(72)以及与发射极窗口部分相邻的延伸通过基极层、基极接触层和衬底一部分的场板沟槽部分(74)；利用电绝缘材料对所述开口加衬里；使所述发射极区外露；以及用导电材料填充所述加衬里的开口。