| 发明名称 | 光伏装置及其形成方法 | ||
| 摘要 | 一种改进的光伏装置及其制造方法，该光伏装置包括邻近半导体吸收层的界面层，其中，界面层包括在半导体层中从界面层的接触吸收层的一侧到界面层的相反的一侧浓度减小的材料。 | ||
| 申请公布号 | CN104247037B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201280062411.2 | 申请日期 | 2012.10.16 |
| 申请人 | 第一太阳能有限公司 | 发明人 | 伊戈尔·桑金;马库斯·格洛克勒;本雅明·布勒;基兰·崔西 |
| 分类号 | H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/073(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0296(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 刘灿强 |
| 主权项 | 一种光伏装置，包括：半导体窗口层；碲化镉半导体吸收层，邻近半导体窗口层；碲化镉锌界面层，邻近碲化镉半导体吸收层；以及接触层，邻近碲化镉锌界面层，其中，相对于锌的镉的浓度在碲化镉锌界面层的面对碲化镉半导体吸收层的第一侧上较高，在碲化镉锌界面层的相反的第二侧上较低，其中，从所述第一侧上镉的较高浓度到所述第二侧上镉的较低浓度的减小为逐渐的或阶梯式的。 | ||
| 地址 | 美国俄亥俄州佩里斯堡 | ||