| 发明名称 | 半导体结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其制造方法。此半导体结构包括形成于一基板上的一鳍结构及形成并跨越该鳍结构的一第一栅结构。半导体结构还包括了形成于邻近该第一栅结构的该鳍结构内的一第一源极/漏极结构及形成于该第一源极/漏极结构上的一第一接触物。此外，第一接触物包括了延伸进入该第一源极/漏极结构内的一第一延伸部。本发明可改善半导体结构的表现。 | ||
| 申请公布号 | CN106469756A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201510860763.8 | 申请日期 | 2015.11.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 江国诚;蔡庆威;梁英强 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 王芝艳;冯志云 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：一鳍结构，形成于一基板上；一第一栅结构，形成并跨越该鳍结构；一第一源极/漏极结构，形成于邻近该第一栅结构的该鳍结构内；以及一第一接触物，形成于该第一源极/漏极结构上，其中该第一接触物包括延伸进入该第一源极/漏极结构内的一第一延伸部。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||