| 发明名称 | 封装结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 实施例是方法，所述方法包括形成第一封装件。形成第一封装件包括邻近第一管芯形成穿孔，使用密封剂至少横向地密封第一管芯和穿孔，以及在第一管芯、穿孔和密封剂上方形成第一再分布结构。形成第一再分布结构包括在穿孔上形成第一通孔，以及在第一通孔上形成第一金属化图案，所述第一金属化图案的至少一个侧壁直接位于穿孔上面。本发明实施例涉及封装结构及其形成方法。 | ||
| 申请公布号 | CN106469661A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201610595174.6 | 申请日期 | 2016.07.26 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余振华;苏安治 |
| 分类号 | H01L21/56(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;李伟 |
| 主权项 | 一种方法，包括：形成第一封装件，形成所述第一封装件包括：邻近第一管芯形成穿孔；利用密封剂至少横向地密封所述第一管芯和所述穿孔；在所述第一管芯、所述穿孔和所述密封剂上方形成第一再分布结构，形成所述第一再分布结构包括：在所述穿孔上形成第一通孔；以及在所述第一通孔上形成第一金属化图案，所述第一金属化图案的至少一个侧壁直接位于所述穿孔的上面。 | ||
| 地址 | 中国台湾，新竹 | ||