| 发明名称 | 超结型半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种超结型半导体装置及其制造方法。所述超结型半导体装置包括：掺杂有第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的有源区，所述有源区包括漂移层；以及被设置成包围有源区的终止区，所述终止区包括设置在所述漂移层的侧表面上的下边缘区和设置在所述下边缘区上的上边缘区，其中所述上边缘区包括设置在所述下边缘区上的下部电荷平衡区和设置在所述下部电荷平衡区上的上部电荷平衡区，所述下部电荷平衡区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，而所述上部电荷平衡区具有所述第一导电类型。 | ||
| 申请公布号 | CN106469759A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201610697546.6 | 申请日期 | 2016.08.19 |
| 申请人 | 快捷韩国半导体有限公司 | 发明人 | 李光远;姜惠民;李在吉 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 陈鹏;王侠 |
| 主权项 | 一种超结型半导体装置，包括：掺杂有第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的有源区，所述有源区包括漂移层；以及包围所述有源区的终止区，所述终止区包括设置在所述漂移层的侧表面上的下边缘区和设置在所述下边缘区上的上边缘区，其中所述上边缘区包括设置在所述下边缘区上的下部电荷平衡区和设置在所述下部电荷平衡区上的上部电荷平衡区，所述下部电荷平衡区具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型，所述上部电荷平衡区具有所述第一导电类型。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||