MEMS器件的制作方法

摘要

本发明揭示了一种MEMS器件的制作方法。该方法包括：在MEMS器件的制作过程中，采用氩离子束物理轰击去除暴露出的部分氮化钽层及下方的AMR层，避免了现有技术刻蚀氮化钽层容易产生聚合物的问题，从而使得刻蚀后形成的开口侧壁平坦，开口精确，提高了产品的良率。

主权项

一种MEMS器件的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构包括第一沟槽，位于第一沟槽两侧的第一氧化层和第二氧化层，依次覆盖所述前端结构的AMR层、氮化钽层及第一阻挡层；采用包括氩离子束物理轰击去除氮化钽层及AMR层的刻蚀工艺暴露出所述第一沟槽的部分底壁、与所述部分底壁相邻的一个侧壁以及与所述侧壁相邻的第二氧化层的一部分，以形成第二沟槽；采用包括氩离子束物理轰击去除氮化钽层及AMR层的刻蚀工艺形成位于第一氧化层上的第一开口，包括利用光刻工艺暴露出位于第一氧化层上的部分第一阻挡层；刻蚀去除暴露出的部分第一阻挡层，形成初始第一开口，暴露出部分氮化钽层；在所述初始第一开口的侧壁和底壁上沉积介电质抗反射层；采用氩离子束物理轰击去除底壁上的介电质抗反射层、所述暴露出的部分氮化钽层及下方的AMR层；去除所述介电质抗反射层；形成第二阻挡层以填充所述第一开口；采用包括氩离子束物理轰击去除氮化钽层的刻蚀工艺形成位于第二氧化层上的第二开口。