检测用于射频应用的半导体基板的方法和装置

摘要

本发明涉及一种对用于射频应用的半导体基板(1)进行检测的方法，其特征在于，测量所述基板的作为深度的函数的电阻率分布，并使用所述分布来计算由公式(I)限定的标准：(I)，其中，D为积分深度，σ(x)为在基板的深度x处测量的电导率，L为基板中的电场的特征衰减长度。本发明还涉及—种对用于射频应用的半导体基板(1)进行选择的方法以及实施所述方法的装置。

主权项

一种对用于射频应用的半导体基板进行检测的方法，所述方法用于检验基板对于接着将制备在所述基板上的装置的射频性能标准的适合性，其特征在于，测量所述基板的作为深度的函数的电阻率分布，并且使用所述分布来计算标准，所述标准由以下公式限定：$QF=\underset{0}{\overset{D}{\int }}\sigma \left(x\right)·e^{\frac{-x}{L}}dx$其中，D为积分深度，σ(x)为在所述基板中的深度x处测量的电导率，并且L为所述基板中的电场的特征衰减长度。