MEMS器件及晶圆级密封性的测量方法

摘要

本发明提供一种MEMS器件及晶圆级密封性的测量方法，MEMS器件的测量方法包括：提供一由上至下依次由第一晶片、第二晶片和第三晶片键合而成的MEMS器件，第二晶片中具有一MEMS装置，第一晶片和第三晶片通过MEMS装置互通形成有空腔；使空腔区域对应的第一晶片薄膜厚度减薄；将MEMS器件放入一具有光学传感器的气压量测仪中，空腔对应的第一晶片表面与光学传感器面对面放置；气压量测仪中送入一大于空腔中的气压的预定气压；经过一预定时间后，通过光学传感器记录来自于空腔对应的第一晶片表面的光的反射角；重复上一步，比较每次记录的反射角，以评估MEMS器件的密封性能，此方法操作简单、效率高、成本低。

主权项

一种MEMS器件的测量方法，其特征在于，包括：步骤1：提供一MEMS器件，所述MEMS器件由上至下依次由第一晶片、第二晶片和第三晶片键合而成，所述第二晶片中具有一MEMS装置，所述第一晶片和第三晶片通过MEMS装置互通形成有空腔；步骤2：使所述空腔区域对应的第一晶片薄膜厚度减薄；步骤3：将减薄后的MEMS器件放入一气压量测仪中，所述气压量测仪设置有一光学传感器，所述空腔对应的第一晶片表面与所述光学传感器面对面放置；步骤4：所述气压量测仪中送入一预定气压，所述预定气压大于所述空腔中的气压；步骤5：经过一预定时间后，通过所述光学传感器记录来自于所述空腔对应的第一晶片表面的光的反射角；步骤6：重复步骤5，比较每次记录的所述反射角，以评估MEMS器件的密封性能，当每次记录的所述反射角大于0度且相同时，所述空腔区域对应的第一晶片薄膜沿所述空腔的方向向下弯曲，MEMS器件具有紧密的密封性能；当每次记录的所述反射角不相同时，所述空腔区域对应的第一晶片薄膜沿所述空腔的方向由向下弯曲逐渐变为不弯曲，MEMS器件不具有紧密的密封性能。