发光二极管阵列结构及其制造方法

摘要

本发明公开一种发光二极管阵列结构及其制造方法，该发光二极管阵列结构制造方法至少包含：提供暂时基板；依序形成多个第一发光叠层及第二发光叠层；形成第一绝缘层覆盖部分第一发光叠层；形成导线于第一绝缘层之上并与第一发光叠层及第二发光叠层电性连接；形成第二绝缘层完全覆盖第一发光叠层、导线及部分第二发光叠层；形成金属连接层于第二绝缘层之上，并与第二发光叠层电性连接；形成导电基板于金属连接层之上；移除暂时基板；及形成第一电极连接第一发光叠层，使第一发光叠层与第二发光叠层形成串联电路结构。

主权项

一种发光二极管阵列结构，包含：多个交错形成的第一发光叠层及第二发光叠层，其中该第一发光叠层包括第一n型半导体层、第一p型半导体层、及第一有源层形成于该第一n型半导体层与该第一p型半导体层之间；该第二发光叠层包括第二n型半导体层、第二p型半导体层、及第二有源层形成于该第二n型半导体层与该第二p型半导体层之间；第一绝缘层覆盖部分该第一发光叠层；导线形成于该第一绝缘层之上并与该第一发光叠层的该第一p型半导体层及该第二发光叠层的该第二n型半导体层电性连接；第二绝缘层同时覆盖该第一发光叠层、该导线、该第一绝缘层及部分该第二发光叠层；金属连接层覆盖于该第二绝缘层之上，并与该第二发光叠层电性连接；导电基板形成于该金属连接层之上；及第一电极电性连接到该第一发光叠层的该第一n型半导体层。