| 发明名称 | 发光元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光元件及其制造方法。该发光元件，至少包含：第一电性半导体层；第二电性半导体层；以及有源层，位于该第一电性半导体层与该第二电性半导体层之间，且该有源层包括由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成的多重量子阱结构，其中该多个势垒层分别包含至少一个次势垒层。上述的元件可增加空穴和电子结合的机率，提高发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103441196B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201310309950.8 | 申请日期 | 2009.12.21 |
| 申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 颜胜宏;蔡孟伦;蔡清富 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/26(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 翟然 |
| 主权项 | 一种发光元件，至少包含：第一电性半导体层；第二电性半导体层；以及有源层，位于该第一电性半导体层与该第二电性半导体层之间，且该有源层包括由多个势垒层与多个阱层交错堆叠而形成的多重量子阱结构，其中该多个势垒层的每一个势垒层包含至少一个次势垒层，其中该次势垒层掺杂p型杂质。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||