半导体装置与其制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体装置与其制造方法。该半导体装置包括：一半导体层；一氧化层，形成于该半导体层上，该氧化层包括一凹部，该凹部位于朝向该半导体层的一垂直方向上；以及一多晶硅遮蔽层，形成于该氧化层的凹部中，该多晶硅遮蔽层包括一接口，该接口位于该凹部中。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：一半导体层，定义垂直于半导体层的方向为垂直方向；定义与垂直方向正交的方向为水平方向；一堆叠结构，形成于该半导体层上，该堆叠结构包括多个第一凹部，该多个第一凹部在垂直方向上朝向该半导体层；一氧化层，形成于该堆叠结构上和堆叠结构之间，该氧化层包括一第二凹部，该第二凹部位于朝向该半导体层的一垂直方向上，并且，该第二凹部被设置为：在水平方向上位于所述第一凹部之间，在垂直方向上位于该堆叠结构上；以及一多晶硅遮蔽层，形成于该氧化层的第二凹部中，该多晶硅遮蔽层包括一内部的接口，该接口位于该第二凹部中。