用于三维装置的镶嵌式导体的半导体装置及其形成方法

摘要

本发明公开了一种用于三维装置的镶嵌式导体的半导体装置及其形成方法，该方法沉积一内衬在多个间隔开的有源层叠层之上；一绝缘材料形成于内衬之上、多个间隔开的叠层之上和之间；绝缘材料内的多个沟道交错排列在多个间隔开的有源条叠层之上，在有源条叠层之间的沟道底部和间隔开的有源条叠层的一侧壁之上留下内衬的至少一残余物；选择性地移除沟道底部和间隔开的有源条叠层的侧壁上的内衬残余物；然后以导体或半导体材料填充多个沟道以形成镶嵌结构。

主权项

一种在三维电路中形成导体的方法，包括：提供一衬底，该衬底具有多个间隔开的有源条(active strips)叠层；沉积一内衬(lining)于这些间隔开的有源条叠层之上；沉积一绝缘填充材料于该内衬之上、这些间隔开的有源条叠层之上与之间；以一第一刻蚀工艺形成多个沟道于该绝缘填充材料内，这些沟道交错排列在这些间隔开的有源条叠层之上；以一第二刻蚀工艺移除暴露在这些沟道内的该内衬；以及以一导体或一半导体材料填充这些沟道以形成多个镶嵌导体结构；其中在该第二刻蚀工艺中，该内衬具有比该绝缘填充材料至少快三倍的一刻蚀速率。