发明名称 ESD保护电路
摘要 本发明揭露一种ESD保护电路,及一种装置,包括基板,定义有装置区域,其特征在于,该装置区域具有至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路,其特征在于,各该晶体管包括栅极,具有第一侧及第二侧;第一扩散区域,位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中;第二扩散区域,位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中;以及漂移隔离区域,设置于该栅极与该第二扩散区域间;第一装置阱,包围该装置区域,第二装置阱,设置在该第一装置阱内;漂移阱,包围该第二扩散区域其特征在于,该漂移阱的边缘不延伸到该栅极下方并远离沟道区域;以及漏极阱,设置在该第二扩散区域下方及该漂移阱内。
申请公布号 CN103811485B 申请公布日期 2017.03.01
申请号 CN201310306060.1 申请日期 2013.07.19
申请人 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 发明人 赖大伟;H·莱维;林盈彰
分类号 H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种半导体装置,包括:基板,定义有装置区域,该装置区域包括至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路,其特征在于,各该些晶体管包括:栅极,具有第一侧及第二侧;第一扩散区域,位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中;第二扩散区域,位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中,并由该第一晶体管及该第二晶体管所共有,其特征在于,该第一及第二扩散区域包括第一极性类型的掺杂物;以及漂移隔离区域,设置于该栅极与该第二扩散区域之间;第一装置阱,包围该装置区域;第二装置阱,设置于该第一装置阱内;漂移阱,包围该第二扩散区域,其特征在于,该漂移阱的边缘不延伸到该栅极下方并远离沟道区域;以及漏极阱,具有该第一极性类型的掺杂物,并设置于该第二扩散区域下方及该第一装置阱内。
地址 新加坡