发明名称 |
ESD保护电路 |
摘要 |
本发明揭露一种ESD保护电路,及一种装置,包括基板,定义有装置区域,其特征在于,该装置区域具有至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路,其特征在于,各该晶体管包括栅极,具有第一侧及第二侧;第一扩散区域,位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中;第二扩散区域,位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中;以及漂移隔离区域,设置于该栅极与该第二扩散区域间;第一装置阱,包围该装置区域,第二装置阱,设置在该第一装置阱内;漂移阱,包围该第二扩散区域其特征在于,该漂移阱的边缘不延伸到该栅极下方并远离沟道区域;以及漏极阱,设置在该第二扩散区域下方及该漂移阱内。 |
申请公布号 |
CN103811485B |
申请公布日期 |
2017.03.01 |
申请号 |
CN201310306060.1 |
申请日期 |
2013.07.19 |
申请人 |
新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
发明人 |
赖大伟;H·莱维;林盈彰 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:基板,定义有装置区域,该装置区域包括至少具有第一及第二晶体管的ESD保护电路,其特征在于,各该些晶体管包括:栅极,具有第一侧及第二侧;第一扩散区域,位于邻近该栅极的该第一侧的该装置区域中;第二扩散区域,位于远离该栅极的该第二侧的该装置区域中,并由该第一晶体管及该第二晶体管所共有,其特征在于,该第一及第二扩散区域包括第一极性类型的掺杂物;以及漂移隔离区域,设置于该栅极与该第二扩散区域之间;第一装置阱,包围该装置区域;第二装置阱,设置于该第一装置阱内;漂移阱,包围该第二扩散区域,其特征在于,该漂移阱的边缘不延伸到该栅极下方并远离沟道区域;以及漏极阱,具有该第一极性类型的掺杂物,并设置于该第二扩散区域下方及该第一装置阱内。 |
地址 |
新加坡 |