保护环结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种保护环结构及其制造方法。该保护环结构包括：半导体基板，具有为第一环状物与第二环状物所环绕的电路区，该第一环状物与该第二环状物分别包括：分隔的多个第一掺杂区，形成于该半导体基板的上部；以及互连组件，形成于该半导体基板上，覆盖该多个第一掺杂区。本发明所提出的保护环结构及其制造方法，可降低或消除基板噪声耦合问题。

主权项

一种保护环的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，具有形成于该半导体基板的上部的第一掺杂区，其中该半导体基板具有第一掺杂类型，而该第一掺杂区具有该第一掺杂类型或相反于该第一掺杂类型的第二掺杂类型；形成多个图案化的光阻层于该半导体基板上，环绕该半导体基板，其中该多个图案化的光阻层中的每一个分别包括沿着第一方向延伸的多个平行的第一条状部以及形成于该多个平行的第一条状部之间且沿垂直于该第一方向的第二方向延伸的多个第一桥接部；使用该多个图案化的光阻层作为蚀刻掩膜，对该第一掺杂区执行蚀刻工艺，移除未被该多个图案化的光阻层所覆盖的该第一掺杂区，并形成多个图案化的第一掺杂区，其中该多个图案化的第一掺杂区中的每一个分别包括沿着该第一方向延伸的多个平行的第二条状部，以及形成于该多个平行的第二条状部之间且沿着垂直于该第一方向的该第二方向延伸的多个第二桥接部；移除该多个图案化的光阻层；以及形成多个互连组件于该半导体基板上，分别覆盖该多个互连组件下方的该多个图案化的第一掺杂区的其中之一。