半导体芯片及其制造方法和焊接半导体芯片与载体的方法

摘要

本发明涉及半导体芯片及其制造方法和焊接半导体芯片与载体的方法。公开了一种半导体芯片，具有半导体本体和施加到半导体本体上的芯片金属化，该芯片金属化具有背离半导体本体的下侧。具有数目为N1≥1或者N1≥2的第一子层以及数目为N2≥2的第二子层的层堆叠被施加到下侧上。第一子层和第二子层交替地相继地被布置，使得在能够由第一子层构成的每一个第一对的第一子层之间布置有至少一个第二子层，并且在能够由第二子层构成的每一个第二对的第二子层之间布置有至少一个第一子层。每一个第一子层都具有合金金属或者由合金金属组成，每一个第二子层都具有焊料或者由焊料组成，该焊料能够与邻接有关的第二子层的第一子层的合金金属一起构成金属间相。

主权项

半导体芯片(1’)，包括：半导体本体(10)；施加在所述半导体本体(10)上的芯片金属化(11)，该芯片金属化具有背离所述半导体本体(10)的下侧(12)；施加到所述下侧(12)上的层堆叠(5)，该层堆叠具有数目为N1≥1的第一子层(31‑36)，以及数目为N2≥2的第二子层(41‑46)，其中所述第一子层(31‑36)和所述第二子层(41‑46)交替地相继地被布置，使得在能够由所述第一子层(31‑36)构成的每一个第一对的第一子层(31‑36)之间布置有所述第二子层(41‑46)中的至少一个，并且在能够由所述第二子层(41‑46)构成的每一个第二对的第二子层(41‑46)之间布置有所述第一子层(31‑36)中的至少一个，其中，所述第一子层(31‑36)中的每一个都具有合金金属或者由合金金属组成，其中能够与至少一个邻接第一子层的第二子层一起构成金属间相的金属或者合金为该第一子层的合金金属；所述第二子层(41‑46)中的每一个都具有焊料或者由焊料组成，该焊料能够与邻接有关的第二子层(41‑46)的第一子层(31‑36)的合金金属一起构成金属间相。