发明名称 半导体结构及其制造方法、硬件描述语言设计结构
摘要 本文公开了一种半导体结构及其制造方法、硬件描述语言设计结构,具体公开了形成在半导体材料上的穿透硅过孔(TSV)和接触体、制造方法以及设计结构。该方法包括在形成于基板上的电介质材料中形成接触孔。该方法还包括在基板中以及穿过电介质材料形成过孔。该方法还包括利用沉积技术使接触孔和电介质材料具有金属衬垫,所述沉积技术将避免衬垫在形成于基板中的过孔中形成。该方法还包括用金属填充接触孔和过孔,使得金属形成在接触孔中的衬垫上或者在基板上直接形成在过孔中。
申请公布号 CN103681474B 申请公布日期 2017.03.01
申请号 CN201310447344.2 申请日期 2013.09.25
申请人 国际商业机器公司 发明人 J.P.甘比诺;C.E.卢斯;D.S.范斯莱特;B.C.韦布
分类号 H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;G06F17/50(2006.01)I 主分类号 H01L21/768(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种半导体结构的制造方法,包括:在形成于基板上的电介质材料中形成接触孔;形成在所述基板中且穿过所述电介质材料的过孔;利用沉积技术使所述接触孔和所述电介质材料具有金属衬垫,所述沉积技术将避免所述衬垫在形成于所述基板中的所述过孔中形成;以及用金属填充所述接触孔和所述过孔,使得所述金属形成在所述接触孔中的衬垫上以及在所述基板上直接形成在所述过孔中。
地址 美国纽约阿芒克