半导体激光器装置

摘要

本发明涉及一种半导体激光器装置(1)。该半导体激光器装置包括：第一区域(2)；第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)；以及有源区(3)，其设置在第一区域(2)和第二区域之间，其中包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在突出的区带(4g)上，并且横向地超出突出的区带(4g)。

主权项

一种半导体激光器装置(1)，具有：‑第一区域(2)，‑第二区域，其具有平坦区带(4f)和从平坦区带突出的区带(4g)，以及具有：‑有源区(3)，其设置在所述第一区域(2)和所述第二区域之间，其中‑包含半导体材料或透明导电氧化物的盖层(5，5a，5b)至少局部直接设置在所述突出的区带(4g)上，并且横向地超出所述突出的区带(4g)，‑该半导体激光器装置(1)具有属于所述突出的区带(4g)并且朝着所述盖层(5，5a，5b)的接触层(4e)，其中，该盖层(5，5a，5b)覆盖接触层(4e)，以及‑所述盖层(5，5a，5b)由不同的电学特性和光学特性的层组成，其中，‑盖层(5，5a，5b)具有与突出的区带(4g)的侧边邻接的下部的第一部分层(5a)，所述第一部分层(5a)具有第一导电性和适于单模激光器运行的、用于衰减较高模式的折射率，以及‑盖层(5，5a，5b)具有与突出的区带的主面邻接的上部的第二部分层(5b)，所述第二部分层(5b)具有第二导电性，用于形成与接触层(4e)的电接触，其中，第二导电性大于第一导电性。