| 发明名称 | 光电二极管及其制造方法，及包括光电二极管的光传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光电二极管及其制造方法以及包括该光电二极管的光传感器。所述光电二极管包括：形成于基板上的本征层、形成于部分所述本征层中的P+型掺杂区域、以及形成于部分所述本征层上的氧化物半导体区域，所述氧化物半导体区域与所述P+型掺杂区域由所述本征层中的本征区域相隔离。 | ||
| 申请公布号 | CN102456764B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201110281498.X | 申请日期 | 2011.09.21 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 李源规;崔宰凡;吴在焕;张荣真;陈圣铉 |
| 分类号 | H01L31/105(2006.01)I;H01L31/0336(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人 | 余朦;王艳春 |
| 主权项 | 一种光电二极管，包括：本征层，形成于基板上；形成为所述光电二极管一极的P+型掺杂区域，形成于所述本征层的一部分中；以及形成为所述光电二极管另一极的氧化物半导体区域，形成于所述本征层的一部分上并与所述本征层直接接触，其中，在与所述本征层所在的平面平行的方向上，所述氧化物半导体区域与所述P+型掺杂区域由所述本征层中的本征区域相隔离。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||