| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法，其中，所述薄膜晶体管包括：形成于一衬底上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层，形成于所述绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述源极和漏极位于所述半导体层的两端并与之相连接；其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第一绝缘层与半导体层之间。在本发明提供的薄膜晶体管及其制造方法中，通过采用双层结构的绝缘层，在改善界面特性的同时修复半导体层的缺陷，从而提高薄膜晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN106469750A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201510511335.4 | 申请日期 | 2015.08.19 |
| 申请人 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 | 发明人 | 赵景训;卜凡中;徐磊;郭瑞 |
| 分类号 | H01L29/49(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/49(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 余毅勤 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：形成于一衬底上的栅极；形成于所述栅极上的绝缘层，形成于所述绝缘层上的半导体层；形成于所述半导体层上的源极和漏极；所述源极和漏极位于所述半导体层的两端并与之相连接；其中，所述绝缘层包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层与半导体层之间。 | ||
| 地址 | 215300 江苏省苏州市昆山市昆山高新区晨丰路188号 | ||