存储元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储元件及其制造方法，存储元件包括多个第一导线层、多个支撑结构以及电荷储存层。每一第一导线层沿着第一方向与第二方向所定义的平面延伸。每一第一导线层具有沿着第一方向延伸的多条第一导线。支撑结构位于相邻的第一导线层之间。支撑结构的形状与第一导线不同。电荷储存层覆盖第一导线上表面、下表面、两侧表面以及支撑结构的表面。

主权项

一种存储元件，包括：多个第一导线层，每一第一导线层沿着一第一方向与一第二方向所定义的平面延伸，每一第一导线层具有沿着该第一方向延伸的多条第一导线；多个支撑结构，位于相邻的这些第一导线层之间，这些支撑结构的形状与这些第一导线不同；以及一电荷储存层，覆盖这些第一导线上表面、下表面、两侧表面以及这些支撑结构的表面。