一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅

摘要

本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶线条，并对所形成的光刻胶线条进行微缩，使微缩后的光刻胶线条宽度小于等于22nm；以所述光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明能精确控制栅极的关键尺寸，栅极的剖面形貌，并能改善栅极线条粗糙度，保证了器件的性能及稳定性。

主权项

一种后栅工艺假栅的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积氧化膜‑氮化膜‑氧化膜ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层；在所述硬掩膜层上形成光刻胶线条，并采用氧等离子体对所形成的光刻胶线条进行微缩，使微缩后的光刻胶线条宽度小于等于22nm；以所述微缩后的光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅；其中，以所述微缩后的光刻胶线条为标准，对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀，并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅，包括：将所述微缩后的光刻胶线条作为所述硬掩膜层的掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀，去除所述微缩后的光刻胶线条；将所述硬掩膜层作为所述顶层非晶硅的掩膜，对所述顶层非晶硅进行刻蚀；将所述硬掩膜层和所述顶层非晶硅作为ONO结构硬掩膜的掩膜，对所述ONO结构硬掩膜进行刻蚀，去除所述硬掩膜层；将所述顶层非晶硅和所述ONO结构硬掩膜作为所述底层非晶硅的掩膜，对所述底层非晶硅进行刻蚀，去除所述顶层非晶硅。