发明名称 | 固体摄像器件和电子装置 | ||
摘要 | 本发明公开了一种固体摄像器件和包括该固体摄像器件的电子装置。所述固体摄像器件包括:光电转换膜,其设置在半导体基板的第二表面侧,所述第二表面侧是与所述半导体基板的形成有配线层的第一表面相反的一侧,所述光电转换膜对预定波长区域中的光进行光电转换,并且使其它波长区域中的光透过;以及光电转换层,其设置在所述半导体基板中,并且对透过所述光电转换膜的所述其它波长区域中的光进行光电转换。入射光从所述第二表面侧向所述光电转换膜和所述光电转换层入射。根据本发明,能够减小由于光电转换膜与光电转换层在入射光的光轴方向上的布置位置的差异所引起的灵敏度相对于F值的变化,所以能够降低各颜色的灵敏度的F值依赖。 | ||
申请公布号 | CN102779824B | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
申请号 | CN201210134797.5 | 申请日期 | 2012.04.28 |
申请人 | 索尼半导体解决方案公司 | 发明人 | 山口哲司 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人 | 陈桂香;武玉琴 |
主权项 | 一种固体摄像器件,其包括:光电转换膜,其设置在半导体基板的第二表面侧,所述第二表面侧是与所述半导体基板的形成有配线层的第一表面相反的一侧,所述光电转换膜对预定波长区域中的光进行光电转换,并且使其它波长区域中的光透过;光电转换层,其设置在所述半导体基板中,并且对透过所述光电转换膜的所述其它波长区域中的光进行光电转换;遮光膜,其界定了光入射至所述半导体基板所穿过的区域,该遮光膜具有导电性;以及电荷累积单元,其设置在所述半导体基板中,并且对在所述光电转换膜中被光电转换的电荷进行累积,其中,各像素的所述遮光膜电连接至所述半导体基板,并且将在所述光电转换膜中被光电转换的电荷传输至所述电荷累积单元,其中,所述遮光膜与所述半导体基板电连接,其中,入射光从所述第二表面侧向所述光电转换膜和所述光电转换层入射。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |