半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的实施例涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种能够抑制施加到焊盘的损伤的技术。当内倒角部分的发散角小于90度时，垂直于焊盘表面的方向上的超声转换负载的量值极小。换句话说，垂直于焊盘表面的方向上的超声转换负载在量值上充分小于平行于焊盘表面的方向上的超声转换负载。从而，当内倒角部分的发散角小于90度时，可充分地减小垂直于焊盘表面的方向上的超声转换负载的量值，这可防止焊盘剥落。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包含将铜线键合到布置在半导体芯片的表面之上的焊盘的步骤；其特征在于，所述键合铜线的步骤包含以下步骤：(a)在毛细管的尖端部分处形成由所述铜线形成的初始球；(b)使所述初始球着陆于所述焊盘之上；(c)向所述初始球施加负载和超声波，由此使所述初始球变形以形成压焊球，并且将所述焊盘与所述压焊球电耦合；以及(d)从所述毛细管引出所述铜线，其中，所述压焊球具有与所述焊盘耦合的第一部分、安置在所述第一部分之上的第二部分以及安置在所述第二部分之上并且与所述步骤(d)中引出的铜线耦合的第三部分；并且其中，形成所述压焊球的第二部分的所述毛细管的内倒角部分的发散角小于90度，其中，执行所述步骤(c)和(d)使得所述压焊球的所述第一部分的厚度大于或等于所述第二部分的厚度的1.25倍并且也大于所述压焊球的直径的2/9，以及使得所述压焊球的所述第三部分的厚度小于所述压焊球的直径的1/6。