| 发明名称 | ONO堆叠形成方法 | ||
| 摘要 | 一种在集成CMOS工艺中控制栅极氧化物的厚度的方法，其包括执行两步骤栅极氧化工艺，以同时氧化并因此消耗NV栅极堆叠的覆盖层的至少第一部分以形成阻挡氧化物并且形成在第二区域中的至少一个金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极氧化物，其中至少一个MOS晶体管的栅极氧化物在栅极氧化工艺的第一氧化步骤和第二氧化步骤期间形成。 | ||
| 申请公布号 | CN106471615A | 申请公布日期 | 2017.03.01 |
| 申请号 | CN201580036095.5 | 申请日期 | 2015.11.24 |
| 申请人 | 赛普拉斯半导体公司 | 发明人 | 克里希纳斯瓦米·库马尔 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 张瑞;郑霞 |
| 主权项 | 一种方法，包括：在晶片上形成电介质堆叠，其中所述电介质堆叠包括在所述晶片上的隧道电介质、电荷俘获层和覆盖所述电荷俘获层的覆盖层；图案化所述电介质堆叠，以在所述晶片的第一区域中形成非易失性存储器(NVM)晶体管的非易失性(NV)栅极堆叠，而同时移除所述晶片的第二区域中的所述电介质堆叠；和执行两步骤栅极氧化工艺，以同时氧化所述NV栅极堆叠的覆盖层的至少第一部分以形成阻挡氧化物并且形成在所述第二区域中的至少一个金属氧化物半导体(MOS)晶体管的栅极氧化物，其中所述至少一个MOS晶体管的栅极氧化物在所述两步骤栅极氧化工艺的第一氧化步骤和第二氧化步骤期间形成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||